2、参数：

项目 指标
晶体结构 钙钛矿立方晶系
介电常数 9,000~12,000
D50细度 1~3μm
D90细度 3~5μm
级 别 工业级
3、特性及用途：
CCTO具有的良好的综合性能，使其在高密度能量存储、薄膜器件（如MEMS、GB-DRAM）、高介电电容器等一系列高新技术领域中获得广泛的应用。
CCTO可用于电容器、电阻器、新能源电池行业。
CCTO可应用于动态随机存储记忆体，即DRAM。
CCTO可用于电子、新型电池、太阳能电池、新能源汽车电池行业等。
CCTO可用于高端航天电容、太阳板等。