品牌:KRI
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上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼离子源 KDC 40: 小型低成本直流栅极离子源. KDC 40 是 3cm 考夫曼型离子源升级款. 具有更大的栅极, 更坚固, 可以配置自对准第三层栅极. 离子源 KDC 40 适用于所有的离子工艺, 例如预清洗, 表面改性, 辅助镀膜, 溅射镀膜, 离子蚀刻和沉积. 离子源 KDC 40 兼容惰性或活性气体, 例如氧气和氮气. 标准配置下离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 120 mA.
KRI 考夫曼离子源 KDC 40 技术参数：
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型号 |
KDC 40 |
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供电 |
DC magnetic confinement |
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- 阴极灯丝 |
1 |
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- 阳极电压 |
0-100V DC |
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电子束 |
OptiBeam™ |
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- 栅极 |
专用, 自对准 |
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-栅极直径 |
4 cm |
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中和器 |
灯丝 |
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电源控制 |
KSC 1202 |
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配置 |
- |
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- 阴极中和器 |
Filament, Sidewinder Filament 或LFN 1000 |
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- 架构 |
移动或快速法兰 |
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- 高度 |
6.75' |
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- 直径 |
3.5' |
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- 离子束 |
集中 |
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平行 |
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散设 |
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-加工材料 |
金属 |
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电介质 |
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半导体 |
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-工艺气体 |
惰性 |
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活性 |
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混合 |
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-安装距离 |
6-18” |
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- 自动控制 |
控制4种气体 |
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* 可选: 可调角度的支架 |
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KRI 考夫曼离子源 KDC 40 应用领域：
溅镀和蒸发镀膜 PC
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
离子溅射沉积和多层结构 IBSD
离子蚀刻 IBE
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
若您需要进一步的了解产品详细信息或讨论, 请联络上海伯东邓女士, 分机134